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SPP80P06PHXKSA1
1个P沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPP80P06PHXKSA1
- 商品编号
- C3288986
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 340W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@5.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 173nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.033nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 546pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.565nF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 针对DC/DC转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 卓越的热阻性能
- N沟道，常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅电镀；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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