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SPP18P06PHXKSA1
1个P沟道 耐压:60V 电流:18.7A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 175℃工作温度。 无铅引脚处理，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据AEC Q101标准合格
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPP18P06PHXKSA1
- 商品编号
- C3288932
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 81.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1000uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 双不对称 N 沟道 OptiMOS 5 MOSFET
- 逻辑电平（额定 4.5V）
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 按照 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准为无卤产品
- 单片集成类肖特基二极管
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