BSC025N08LS5ATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:187A
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- 描述
- 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。100%雪崩测试。卓越的热阻性能。N沟道,逻辑电平。无铅引脚镀层,符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准,无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC025N08LS5ATMA1
- 商品编号
- C3288906
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 187A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@115uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品特性
- 用于开关电源(SMPS)的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流(DC/DC)转换器优化的技术
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- N沟道;逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻
- 雪崩额定
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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