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BSC009NE2LS5IATMA1
1个N沟道 耐压:25V 电流:217A
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on)，在 VGS = 4.5 V 时。 100% 雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC009NE2LS5IATMA1
- 商品编号
- C3288909
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 217A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@04.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 单片集成类肖特基二极管
- 在 VGS=4.5V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 经过 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 引脚无铅电镀;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤素
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