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IPP60R060P7XKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:48A
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- 描述
- 第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R060P7XKSA1
- 商品编号
- C3288931
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 164W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.895nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 925pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品特性
- 由于具有出色的换相耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 显著降低开关损耗和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性极佳,>2kV(HBM)
- 低RDS(on)A(低于1欧姆平方毫米)使得与竞品相比,RDS(on)/封装产品表现更优
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
-PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级-电脑主机-适配器-液晶和等离子电视-照明-服务器-电信-不间断电源(UPS)
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