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BSG0810NDIATMA1
双不对称N通道MOSFET,电流:50A,耐压:25V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSG0810NDIATMA1
- 商品编号
- C3288912
- 商品封装
- TISON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- 半桥 - N沟道 - 增强模式 - 逻辑电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1等级
- 工作温度可达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
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