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BSG0810NDIATMA1
2个N沟道 耐压:25V 电流:19A 电流:39A
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- 品牌名称Infineon(英飞凌)
商品型号
BSG0810NDIATMA1商品编号
C3288912商品封装
TISON-8包装方式
编带
商品毛重
0.295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A；19A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@20A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.04nF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃@(Tj) |
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