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IPAN60R600P7SXKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- 第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑且更凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPAN60R600P7SXKSA1
- 商品编号
- C3288921
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 363pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 149pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
商品特性
- 由于出色的换向耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 显著降低开关损耗和导通损耗
- 所有产品均具有出色的ESD耐用性,>2kV(人体模型HBM)
- 低RDS(on)A(低于1欧姆平方毫米)使产品的RDS(on)/封装表现优于竞品
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级
- 硬开关脉宽调制(PWM)级
- 用于PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)的谐振开关级
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