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ISC0802NLSATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:150A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关。 针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤素。 根据JEDEC标准进行产品验证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC0802NLSATMA1
- 商品编号
- C3288904
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V；4.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@92uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 610pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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