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IAUC64N08S5L075ATMA1
N沟道,电流:64A,耐压:80V
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- 描述
- 特性：用于汽车应用的N沟道功率MOSFET。 增强模式。 逻辑电平。 MSL1，最高峰值回流温度260°C。 工作温度175°C。 环保产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC64N08S5L075ATMA1
- 商品编号
- C3288868
- 商品封装
- TDSON-8-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@30uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.106nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 338pF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的反向恢复电荷（Qrr）
- 高雪崩能量额定值
- 工作温度达175°C
- 针对高频开关和同步整流进行优化
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品
- 根据J - STD - 020标准分类为MSL 1级
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