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IPC50N04S5L5R5ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
- 商品编号
- C3288870
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@13uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.209nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 279pF |
商品特性
- 用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流（DC/DC）转换器优化的技术
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- N沟道
- 逻辑电平
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻性能
- 具备雪崩额定值
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
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