温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IAUC120N04S6N010ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC120N04S6N010ATMA1
- 商品编号
- C3288874
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.03mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@90uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.878nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.082nF |
商品特性
- 适用于高频开关
- 针对充电器进行优化
- 经过100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
相似推荐
其他推荐
- IAUC100N08S5N043ATMA1
- IPC100N04S52R8ATMA1
- IPC100N04S5L1R5
- IPC70N04S54R6ATMA1
- IPG20N06S2L35ATMA1
- BSC0909NSATMA1
- BSC110N06NS3GATMA1
- BSC042N03LSGATMA1
- IAUC60N04S6L030HATMA1
- IAUC45N04S6L063HATMA1
- ISC0602NLSATMA1
- ISC0806NLSATMA1
- ISC0802NLSATMA1
- BSC030N08NS5ATMA1
- BSC025N08LS5ATMA1
- BSC009NE2LS5IATMA1
- BSG0810NDIATMA1
- IPA60R125CFD7XKSA1
- IPA082N10NF2SXKSA1
- IPAN60R600P7SXKSA1
- IPP60R060P7XKSA1