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IPC70N04S54R6ATMA1

1个N沟道耐压:40V 电流:70A

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描述: 特性：适用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。AEC Q101认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPC70N04S54R6ATMA1
商品编号: C3288879
商品封装: TDSON-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.206克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS 是一项针对高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS PFD7 是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而量身定制，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现超薄设计。

商品特性

由于极低的品质因数 RDS(on) * Qg 和 RDS(on) * Eoss，损耗极低
开关损耗 Eoss 低，热性能出色
快速体二极管
RDS(on) 和封装类型选择广泛
集成齐纳二极管

应用领域

高密度充电器中使用的零电压开关（ZVS）拓扑
适配器
照明
电机驱动应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	70A
	导通电阻(RDS(on))	4.6mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	50W
	阈值电压(Vgs(th))	3.4V@17uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	24.2nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.43nF
	反向传输电容(Crss)	30pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	412pF