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BSC0909NSATMA1

1个N沟道耐压:34V 电流:44A

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描述: 特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。低开关品质因数（FOM_SW），适用于高频开关电源。 100%经过雪崩测试。改善的开关性能。 N沟道。在栅源电压（VGS）为4.5V时具有极低的导通电阻（RDS(on)）。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。卓越的热阻性能。无铅电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BSC0909NSATMA1
商品编号: C3288889
商品封装: TDSON-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.04克(g)

商品参数

商品概述

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻均经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和重复雪崩能力。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。

商品特性

针对D类音频放大器应用优化关键参数
低漏源导通电阻（RDSON），提高效率
低栅极电荷（QG）和开关电荷（QSW），改善总谐波失真（THD）并提高效率
低反向恢复电荷（QRR），改善总谐波失真（THD）并降低电磁干扰（EMI）
175°C工作结温，增强耐用性
在半桥配置放大器中，每通道可向8Ω负载提供高达300W的功率

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	34V
	连续漏极电流(Id)	44A
	导通电阻(RDS(on))	11.8mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	27W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	20nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.5nF
	反向传输电容(Crss)	25pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	520pF