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IAUC40N08S5L140ATMA1
N沟道,电流:40A,耐压:80V
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- 描述
- 特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 N沟道-增强模式-逻辑电平。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC40N08S5L140ATMA1
- 商品编号
- C3288871
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@15uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.078nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品特性
- 针对 5V 驱动器应用（笔记本电脑、VGA、负载点电源）进行优化
- 用于高频开关电源（SMPS）的低开关品质因数（FOMsw）
- 经过 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用
- 卓越的热阻性能
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准为无卤产品
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