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BSC600N25NS3G
1个N沟道 耐压:250V 电流:25A
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- 描述
- 特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC600N25NS3G
- 商品编号
- C3288852
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@90uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 149pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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