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BSC883N03LSGATMA1
1个N沟道 耐压:34V 电流:98A
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- 描述
- 特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道。逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定。根据IECR1249-2-21标准无卤。无铅电镀；符合RoHS标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC883N03LSGATMA1
- 商品编号
- C3288853
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 34V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 930pF |
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 优化电荷以实现快速开关
- 优化QGD/QGS以增强感应导通的耐用性
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 100%经过雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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