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IPG20N04S412AATMA1
2个N沟道 耐压:40V 电流:20A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPG20N04S412AATMA1
- 商品编号
- C3288864
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 双N沟道常电平 - 增强型
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
- 适用于自动光学检测(AOI)
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