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ISC011N06LM5ATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:288A
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- 描述
- 特性：针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 卓越的热性能。 额定温度为175℃。 N沟道。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据EC61249-2-21标准，无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC011N06LM5ATMA1
- 商品编号
- C3288866
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 288A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品特性
- 针对同步整流进行优化
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热性能
- 额定温度175°C
- N沟道
- 无铅引脚镀层:符合RoHS标准
- 根据EC61249 - 2 - 21标准无卤
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