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BSC019N04NSGATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:204A
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- 描述
- 特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 为DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC019N04NSGATMA1
- 商品编号
- C3288857
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 204A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@85uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.4nF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
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