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IAUC60N04S6N044ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平-AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC60N04S6N044ATMA1
- 商品编号
- C3288839
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@7V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.042nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 334pF |
商品概述
C7 GOLD系列（G7）首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进后的热性能融合在一起，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件（SMD）解决方案。
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 通过AEC Q101认证
- 湿度敏感度等级1(MSL1),最高峰值回流温度260°C
- 工作温度175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
应用领域
- 例如用于计算机、服务器、电信、不间断电源（UPS）和太阳能等领域的PFC级和硬开关PWM级。
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