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BSC005N03LS5ATMA1

1个N沟道耐压:30V 电流:433A

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描述: 特性：极低导通电阻RDS(on) × V₀₅ = 4.5V。针对快速开关优化的电荷。针对感应导通坚固性优化的QGD/QGS。卓越的热阻。 N沟道。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BSC005N03LS5ATMA1
商品编号: C3288844
商品封装: TDSON-8FL
包装方式: 编带
商品毛重: 0.08克(g)

商品参数

商品概述

600 V CoolMOS CFD7是最新的高压超结MOSFET技术，集成了快速体二极管，完善了CoolMOS 7系列。它是高功率开关电源（SMPS）应用中谐振拓扑的理想选择，如服务器、电信和电动汽车充电站。新型CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者。与竞品相比，CoolMOS CFD7的栅极电荷（Qg）降低，关断性能改善，反向恢复电荷（Qrr）最多降低69%，并且拥有市场上最低的反向恢复时间（trr）。由于具备这些特性，CoolMOS CFD7在LLC和ZVS移相全桥等软开关拓扑中实现了最高效率和一流的可靠性。此外，凭借优化的导通电阻RDS(on)，CoolMOS CFD7能够实现更高的功率密度。总体而言，与竞品相比，这一最新的快速体二极管系列结合了快速开关技术的优势和卓越的换向鲁棒性，且在设计导入过程中易于实施，具有显著优势。

商品特性

~~- 超快体二极管-一流的反向恢复电荷(Qrr)-改善反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON) x Qg和Eoss-一流的RDS(ON)/封装组合

应用领域

服务器-电信-电动汽车充电站

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	433A
	导通电阻(RDS(on))	0.55mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	188W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	59nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	8.9nF
	反向传输电容(Crss)	300pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	2.7nF