温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ISC080N10NM6ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 优异的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准为MSL 1级分类
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC080N10NM6ATMA1
- 商品编号
- C3288845
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@36uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 电池供电应用
- 低压电机驱动
- 极低导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
- 额定温度175 °C
相似推荐
其他推荐
- ISC007N04NM6ATMA1
- ISC060N10NM6ATMA1
- ISC036N04NM5ATMA1
- ISC046N04NM5ATMA1
- BSC600N25NS3G
- BSC883N03LSGATMA1
- BSC884N03MSG
- BSC019N04NSGATMA1
- BSC016N03LSGATMA1/BK
- IRLH7134TRPBF
- IPG20N04S408AATMA1
- IPG20N04S412AATMA1
- ISC011N06LM5ATMA1
- IAUC60N06S5L073ATMA1
- IAUC64N08S5L075ATMA1
- IAUC26N10S5L245ATMA1
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
- IAUC40N08S5L140ATMA1
- IAUC50N08S5N102ATMA1
- IAUC120N04S6N010ATMA1
- IAUC100N08S5N043ATMA1