温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPN50R2K0CEATMA1

1个N沟道耐压:550V 电流:3.6A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本降低性能比。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPN50R2K0CEATMA1
商品编号: C3288801
商品封装: SOT-223-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.55克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品，是针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）以及改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且在设计导入过程中易于实施。

商品特性

由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
无铅镀层,无卤模塑料
适用于标准等级应用

应用领域

-适配器-充电器-照明

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	3.6A
	导通电阻(RDS(on))	2Ω@13V
	耗散功率(Pd)	5W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	9nC@10V
	输入电容(Ciss)	124pF
	工作温度	-40℃~+150℃
	类型	N沟道