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IAUC60N04S6L039ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
- 描述
- 特性：适用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。逻辑电平。通过AEC Q101认证。MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。环保产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC60N04S6L039ATMA1
- 商品编号
- C3288835
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@14uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.179nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 337pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交16单
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