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BSV236SPH6327
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 150℃工作温度。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSV236SPH6327
- 商品编号
- C3288824
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 560mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@8uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 228pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 超逻辑电平（额定2.5 V）
- 工作温度达150°C
- 雪崩额定值
- dv/dt额定值
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
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