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IAUC100N04S6N015ATMA1

1个N沟道耐压:40V 电流:100A

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描述: 特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。AEC Q101认证。MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IAUC100N04S6N015ATMA1
商品编号: C3288831
商品封装: TDSON-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具备同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）以及改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且在设计导入过程中不影响其易于实施的特性。

商品特性

~~- 超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

软开关拓扑-服务器-电信-电动汽车充电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	100A
	导通电阻(RDS(on))	2.2mΩ@7V
	耗散功率(Pd)	100W
	阈值电压(Vgs(th))	3V@50uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	55nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.47nF
	反向传输电容(Crss)	57pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.065nF