温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ISC0703NLSATMA1

1个N沟道耐压:60V 电流:57A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 特性：适用于高频开关。针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。适用于标准等级应用
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: ISC0703NLSATMA1
商品编号: C3288827
商品封装: TDSON-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.5克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，在满足最高效率标准的同时，能够针对消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本降低性能比。

商品特性

适用于高频开关
针对充电器进行优化
经过100%雪崩测试
出色的热阻性能
N沟道、逻辑电平
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
适用于标准等级应用

应用领域

适配器-充电器-照明

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	57A
	导通电阻(RDS(on))	6.9mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	44W
	阈值电压(Vgs(th))	1.6V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	8.7nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.1nF
	反向传输电容(Crss)	14pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	250pF