IPLK80R2K0P7ATMA1
耐压:800V 电流:3A
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- 描述
- 特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eus:降低了 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。集成齐纳二极管静电放电保护。完全优化的产品组合。应用:推荐用于低功率充电器和适配器的硬开关和软开关反激拓扑
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPLK80R2K0P7ATMA1
- 商品编号
- C3288829
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@50uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4pF |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 逻辑电平
- 湿度敏感度等级1(MSL1),最高峰值回流温度260°C
- 工作温度175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
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