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BSS126IXTSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.021A
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- 描述
- 特性：N沟道。耗尽模式。dv/df额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。完全符合JEDEC工业应用标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS126IXTSA1
- 商品编号
- C3288820
- 商品封装
- SOT-23-3-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280Ω@10V,16mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@8uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@3V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.4pF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 正常电平
- 超出AEC - Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 坚固的设计
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1等级
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
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