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BSS84PWH6327
1个P沟道 耐压:60V 电流:0.15A
- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 d/v/dt额定。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 符合AEC Q101标准。 符合IEC61249-2-21标准的无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS84PWH6327
- 商品编号
- C3288822
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02948克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@20uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 19.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.3pF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交19单
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