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BSP125H6433XTMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:120mA
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- 描述
- 特性：N沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅镀铅。 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP125H6433XTMA1
- 商品编号
- C3288810
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@94uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.3pF |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 具备dv/dt额定值
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
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