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ISS17EP06LMXTSA1
1个P沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on) @ VDS-4.5 V。100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISS17EP06LMXTSA1
- 商品编号
- C3288816
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@34uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 55pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低导通电阻RDS(on)
- 非常适合高频开关和同步整流应用
- 100%雪崩测试
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准，无卤
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