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BSP135IXTSA1
N沟道,电流:0.12A,耐压:600V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP135IXTSA1
- 商品编号
- C3288806
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@10V,0.12A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@94uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 98pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.5pF |
商品概述
IPDQ60R010S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS™ S7作为高压超结MOSFET，拥有极低的导通电阻RDS(on)，显著提高了能源效率。CoolMOS™ S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，非常适合固态继电器和断路器设计，以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。
商品特性
- CoolMOS™ S7技术可在最小的占位面积内实现10mΩ的导通电阻RDS(on)
- 在低频开关应用中具有优化的性价比
- 高脉冲电流能力
- 开尔文源极引脚可改善大电流下的开关性能
- QDPAK（PG - HDSOP - 22 - 1）封装提供顶部散热，改善了封装热性能
应用领域
- 固态继电器和断路器
- 在高功率/高性能应用（如计算机、电信、UPS和太阳能）的线路整流中用于二极管桥并联/替代
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