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IPN80R4K5P7ATMA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:1.5A
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- 描述
- 最新的800V CoolMOS P7系列在800V超结技术领域树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的经验。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN80R4K5P7ATMA1
- 商品编号
- C3288796
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@20uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 80pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3pF |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A 具备集成快速体二极管，可用于功率因数校正（PFC）和诸如零电压开关（ZVS）移相全桥和 LLC 等谐振开关拓扑。
商品特性
- 市场上采用集成快速体二极管的最新 650V 汽车级技术，具有超低反向恢复电荷（Qrr）
- 导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）乘积以及导通电阻（RDS(on)）与输出电容能量（Eoss）乘积的品质因数（FOM）最低
- 经过 100% 雪崩测试
- 在表面贴装（SMD）和通孔（THD）封装中拥有同类最佳的导通电阻（RDS(on)）
应用领域
- 单向和双向 DC-DC 转换器
- 车载电池充电器
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