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IPN80R600P7ATMA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN80R600P7ATMA1
- 商品编号
- C3288798
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 一流的品质因数 RDS(on) * Eoss;降低 Qg、Ciss 和 Coss
- 一流的DPAK封装 RDS(on)
- 一流的 V(GS)th 为3V,且 V(GS)th 变化范围最小,为 \pm 0.5V
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 产品组合全面优化
应用领域
- 推荐用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。
- 也适用于消费类应用和太阳能领域的功率因数校正(PFC)级。
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