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IPN50R800CEATMA1
1个N沟道 耐压:500V 电流:7.6A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN50R800CEATMA1
- 商品编号
- C3288795
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@13V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
-由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用
应用领域
-适配器-充电器-照明
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