BSP296L6433
N沟道,电流:1.1A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP296L6433
- 商品编号
- C3288794
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@400uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 364pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品特性
- 用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET
- N 沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 超出 AEC-Q101 的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高 260°C 峰值回流温度的 MSL3
- 175°C 工作温度
- 绿色产品（符合 RoHS 标准）
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用。
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