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IPTG014N10NM5ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:366A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTG014N10NM5ATMA1
- 商品编号
- C3288789
- 商品封装
- HSOG-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 366A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@280uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 211nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品概述
RM35N30DN采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 35A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5.5 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 9.5 mΩ
- 高密度单元设计实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 出色的封装，散热性能佳
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 负载点（POL）DC/DC转换器中的高端开关
- 无卤化
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