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BSR202NL6327HTSA1
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.8A
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- 描述
- 特性：N沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 雪崩额定。 引脚兼容SOT23。 dv/dt额定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSR202NL6327HTSA1
- 商品编号
- C3288790
- 商品封装
- SC-59-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@30uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.147nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 超逻辑电平（额定2.5V）
- 雪崩额定
- footprint与SOT23兼容
- dv/dt额定
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
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