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IPT026N10N5ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:202A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 x Rds(on) 乘积（品质因数）。 极低的导通电阻 Rds(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀；符合 RoHS 标准。 符合 IEC61249-2-21 标准的无卤要求
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT026N10N5ATMA1
- 商品编号
- C3288776
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 202A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@158uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具备出色的栅极电荷与导通电阻 RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）。
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道，常电平
- 100% 经过雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤
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