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IPT60R028G7XTMA1实物图
  • IPT60R028G7XTMA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPT60R028G7XTMA1

1个N沟道 耐压:600V 电流:75A

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描述
C7 GOLD系列首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能和TOLL封装改进的热性能结合在一起,为高达3kW的高电流拓扑(如PFC)提供了一种可能的表面贴装解决方案。
商品型号
IPT60R028G7XTMA1
商品编号
C3288780
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)391W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)123nC@10V
输入电容(Ciss)4.82nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)99pF

商品特性

  • C7 Gold具备同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg。
  • 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)。
  • C7 Gold技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的RDS(on)。
  • TOLL封装内置第4引脚开尔文源配置,且源极寄生电感低(约1nH)。
  • TOLL封装符合MSL1标准,完全无铅,且引脚带有便于目视检查的凹槽。
  • TOLL SMD封装与无铅芯片贴装工艺相结合,可提高热性能Rth。

应用领域

  • 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。

数据手册PDF