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IPT65R033G7XTMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:69A
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- 描述
- C7 GOLD系列首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能和TOLL封装改进的热性能结合在一起，为高达3kW的PFC等高电流拓扑结构提供了一种可能的表面贴装器件（SMD）解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT65R033G7XTMA1
- 商品编号
- C3288782
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 391W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
C7 GOLD系列（G7）首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进后的热性能相结合，为高达3kW的PFC等高电流拓扑结构提供了一种可能的SMD解决方案。
商品特性
- C7 Gold在品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg方面表现卓越。
- C7 Gold技术可在最小的占位面积内实现最佳的RDS(on)。
- TOLL封装内置第4引脚开尔文源配置,且源极寄生电感低(约1nH)。
- TOLL封装符合MSL1标准,完全无铅,且引脚带有便于目视检查的凹槽。
- TOLL SMD封装与无铅芯片贴装工艺相结合,可提高热阻Rth性能。
应用领域
- 例如用于计算机、服务器、电信、不间断电源(UPS)和太阳能等领域的PFC级和硬开关PWM级。
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