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IPT65R033G7XTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPT65R033G7XTMA1

1个N沟道 耐压:650V 电流:69A

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描述
C7 GOLD系列首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能和TOLL封装改进的热性能结合在一起,为高达3kW的PFC等高电流拓扑结构提供了一种可能的表面贴装器件(SMD)解决方案。
商品型号
IPT65R033G7XTMA1
商品编号
C3288782
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
2.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)69A
导通电阻(RDS(on))33mΩ@10V
耗散功率(Pd)391W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@1.44mA
栅极电荷量(Qg)110nC@10V
输入电容(Ciss)5nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)80pF

数据手册PDF

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