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IPTG007N06NM5ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPTG007N06NM5ATMA1

1个N沟道 耐压:60V 电流:454A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:N沟道。 卓越的热阻性能。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
商品型号
IPTG007N06NM5ATMA1
商品编号
C3288787
商品封装
HSOG-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)454A
导通电阻(RDS(on))0.75mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.3V@280uA
栅极电荷量(Qg)261nC@10V
输入电容(Ciss)21nF@30V
反向传输电容(Crss)350pF@30V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 适用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET
  • N 沟道 - 增强型 - 标准电平
  • 超出 AEC-Q101 的扩展认证
  • 增强型电气测试
  • 坚固的设计
  • 潮湿敏感度等级 3(MSL3),最高 260°C 峰值回流温度
  • 175°C 工作温度
  • 绿色产品(符合 RoHS 标准)
  • 100% 雪崩测试

应用领域

  • 一般汽车应用。

数据手册PDF