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IPT60R125G7

1个N沟道耐压:600V 电流:20A

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描述: 将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能和TOLL封装改进的热性能相结合，为高达3kW的高电流拓扑（如PFC）提供了一种可能的表面贴装解决方案。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPT60R125G7
商品编号: C3288778
商品封装: HSOF-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1.41克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ CE 是一个经过性价比优化的平台，能满足最高效率标准，适用于对成本敏感的消费和照明市场应用。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性，并且拥有市场上最佳的降本性能比。

商品特性

由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
无铅镀层，无卤模塑料
适用于标准等级应用

应用领域

适配器-充电器-照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	125mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	120W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@320uA
	栅极电荷量(Qg)	27nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.08nF
	反向传输电容(Crss)	420pF@400V
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	22pF