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IAUT300N10S5N014ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:360A
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- 描述
- 特性：适用于汽车应用的N沟道功率MOSFET。 增强模式。 正常电平，超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUT300N10S5N014ATMA1
- 商品编号
- C3288775
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@275uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 216nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.011nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.496nF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。
- 极低的导通电阻RDS(on)。
- N沟道，常电平。
- 100%经过雪崩测试。
- 无铅镀层；符合RoHS标准。
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤。
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