IPDQ60R075CFD7XTMA1
耐压:600V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R075CFD7XTMA1
- 商品编号
- C3288754
- 商品封装
- HDSOP-22-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
600 V CoolMOS CFD7是最新的高压超结MOSFET技术,集成了快速体二极管,完善了CoolMOS 7系列。它是高功率开关电源(SMPS)应用中谐振拓扑的理想选择,如服务器、电信和电动汽车充电站。 新型CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者。与竞品相比,CoolMOS CFD7的栅极电荷(Qg)降低,关断性能改善,反向恢复电荷(Qrr)最多降低69%,并且拥有市场上最低的反向恢复时间(trr)。由于具备这些特性,CoolMOS CFD7在LLC和ZVS移相全桥等软开关拓扑中实现了最高效率和一流的可靠性。此外,凭借优化的导通电阻RDS(on),CoolMOS CFD7能够实现更高的功率密度。 总体而言,与竞品相比,这一最新的快速体二极管系列结合了快速开关技术的优势和卓越的换向鲁棒性,且在设计导入过程中易于实施,具有显著优势。
商品特性
-超快体二极管-一流的反向恢复电荷(Qrr)-改善反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON) x Qg和Eoss-一流的RDS(ON)/封装组合
应用领域
-服务器-电信-电动汽车充电站
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