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IAUA170N10S5N031AUMA1实物图
  • IAUA170N10S5N031AUMA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IAUA170N10S5N031AUMA1

1个N沟道 耐压:100V 电流:170A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:N 沟道。 增强模式。 正常电平。 超出 AEC-Q101 的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用:一般汽车应用
商品型号
IAUA170N10S5N031AUMA1
商品编号
C3288762
商品封装
HSOF-5​
包装方式
编带
商品毛重
2.08克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))3.1mΩ@10V
耗散功率(Pd)197W
阈值电压(Vgs(th))3.8V@110uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)88nC@10V
输入电容(Ciss)6.405nF
反向传输电容(Crss)48pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.029nF

商品特性

  • 用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
  • N沟道 - 增强模式 - 正常电平
  • 超出AEC-Q101标准的扩展认证
  • 增强型电气测试
  • 坚固耐用的设计
  • 湿度敏感度等级3(MSL3),最高峰值回流温度260°C
  • 工作温度可达175°C
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 一般汽车应用。

数据手册PDF