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IPT012N06NATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:313A
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- 描述
- 特性：100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT012N06NATMA1
- 商品编号
- C3288771
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 313A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@143uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 标准电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 湿度敏感度等级3（MSL3），最高260°C峰值回流温度
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用。
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