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IPT020N10N5ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:260A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT020N10N5ATMA1
- 商品编号
- C3288772
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 273W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@202uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- N沟道，常电平
- 100%经过雪崩测试
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
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