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IPT010N08NM5ATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:425A
- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 适用于高频开关和同步整流。 100%雪崩测试。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT010N08NM5ATMA1
- 商品编号
- C3288766
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 425A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@280uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 223nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.6nF |
商品特性
- 小尺寸封装（3.3 x 3.3 mm），适合紧凑设计
- 低导通状态漏源电阻（RDS(on)），可将传导损耗降至最低
- 低电容，可将驱动损耗降至最低
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
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- BSR202NL6327HTSA1
- SP001434884
- SP001461194
- BSP296L6433
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